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Beyond 5Gに向けたダイヤモンド技術

Name: Beyond 5Gに向けたダイヤモンド技術
Start: 2023-07-10T13:16:00+0900
End: 2023-07-10T16:25:00+0900
Location: (地独)大阪産業技術研究所 森之宮センター
Rating: 4

2023年7月10日(月) 13:16〜16:25

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高絶縁耐圧、同電子移動度、高熱伝導率の特性を持つダイヤモンドの次世代通信(Beyond 5G)への応用研究の経過報告会です

会場	(地独)大阪産業技術研究所森之宮センター
住所	大阪府大阪市城東区森之宮1丁目6-50 地図
料金制度	無料イベント
ジャンル	テクノロジー／開発 > ネットワーク
事務局	一般社団法人大阪府技術協会お問合せ ※当イベントは上記の事務局によって企画・運営されており、(株)こくちーずは関与しておりません

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イベント詳細

ダイヤモンドは現在主流の半導体材料、シリコン・SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）などと比較して高絶縁耐圧、同電子移動度、高熱伝導率が極めて優れていることから、パワー半導体や、特に次世代通信の５G以降の高周波帯域での半導体材料として注目されています。

(地独）大阪産業技術研究所では、
『Beyond 5G に向けた材料開発技術の高度化』を重点事業として令和4年度から実施されています。今回、その第1期を終えて、成果および関連情報の報告会を実施します。

プログラム

13:20～14:20 基調講演
『マイクロ波プラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの作製』
ダイヤモンドは、電気的あるいは熱的に物質中最高水準の物性値を複数有しており、次世代のパワーエレクトロニクスやスピントロニクスなど、広範な分野での応用が期待されています。本講演では、ガスを原料とするマイクロ波プラズマCVD法を用いて、単結晶ダイヤモンドこの大型化技術への取り組みについて報告します。
　　　　国立研究開発法人産業技術総合研究所
　　　　　　　先進パワーエレクトロニクス研究センター山田英明氏

14:30～15:15 招待講演
『ダイヤモンド基板を活用したGaN高周波デバイス』
大電力を扱う電子デバイスでは動作時発熱温度上昇が課題となっており、固体物質中で最大の熱伝導率を有するダイヤモンド基板を GaN高周波デバイスに接合し、放熱性を向上させる構造の開発を行っています。本講演では、ダイヤモンド基板適用による放熱性能の向上効果について接合するダイヤモンド種の比較を含めて報告します。
　　　　　三菱電機株式会社先端技術総合研究所
　　　　　　　　　　先進機能デバイス技術部　　　　　　　　　滝口雄貴氏

15:45～16:25 プロジェクト研究成果発表
『大阪技術研におけるBeyond 5Gに向けた材料合成技術の整備』
Beyond 5Gを実現するためには単結晶ダイヤモンドの利用拡大が重要となります。しかし、単結晶ダイヤモンドの実用化には様々な課題があります。大阪技術研では、高温高圧合成法による単結晶ダイヤモンドの不純物量を制御する技術の確立を目指すとともに、将来の材料開発支援環境の整備を進めています。本講演では、その取り組みについて紹介いたします。
　　　　　地方独立行政法人大阪産業技術研究所
　　　　　製品信頼性研究部　　　　　　　　　　　　平井学　氏

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